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SIA4371EDJ-T1-GE3

SIA4371EDJ-T1-GE3

SIA4371EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

não conforme

SIA4371EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.56000 $0.56
500 $0.5544 $277.2
1000 $0.5488 $548.8
1500 $0.5432 $814.8
2000 $0.5376 $1075.2
2500 $0.532 $1330
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.4A (Ta), 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 45mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

NVTFWS002N04CTAG
NVTFWS002N04CTAG
$0 $/pedaço
IXFT36N60P
IXFT36N60P
$0 $/pedaço
IXFA34N65X2-TRL
IXFA34N65X2-TRL
$0 $/pedaço
FDD8444
FDD8444
$0 $/pedaço
STD150N3LLH6
STD150N3LLH6
$0 $/pedaço
FQB12N60TM
NVMFS5C460NLAFT1G
NVMFS5C460NLAFT1G
$0 $/pedaço

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