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ZXMN2A01E6TA

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ZXMN2A01E6TA

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

não conforme

ZXMN2A01E6TA Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.27623 -
6,000 $0.26028 -
15,000 $0.24433 -
30,000 $0.23316 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 120mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 700mV @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 3 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 303 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-6
pacote / caixa SOT-23-6
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Número da peça relacionada

NTMFS006N12MCT1G
NTMFS006N12MCT1G
$0 $/pedaço
PSMN6R5-30MLDX
TP5322K1-G
TP5322K1-G
$0 $/pedaço
STI26NM60N
STI26NM60N
$0 $/pedaço
RM5N800LD
RM5N800LD
$0 $/pedaço
STD6N65M2
STD6N65M2
$0 $/pedaço
CSD17553Q5A
CSD17553Q5A
$0 $/pedaço
SIRA84DP-T1-GE3
FDB2710
FDB2710
$0 $/pedaço
SQM40014EM_GE3
SQM40014EM_GE3
$0 $/pedaço

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