Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA84DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.22346 -
6,000 $0.20984 -
15,000 $0.19622 -
30,000 $0.18669 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1535 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 34.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

FDB2710
FDB2710
$0 $/pedaço
SQM40014EM_GE3
SQM40014EM_GE3
$0 $/pedaço
FQPF9N50YDTU
2N7000TA
2N7000TA
$0 $/pedaço
FDT461N
FDT461N
$0 $/pedaço
IRF540NLPBF
PXN6R7-30QLJ
PXN6R7-30QLJ
$0 $/pedaço
SIDR5102EP-T1-RE3
SQ4850EY-T1_BE3

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.