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DMTH8001STLWQ-13

DMTH8001STLWQ-13

DMTH8001STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

não conforme

DMTH8001STLWQ-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.78000 $5.78
500 $5.7222 $2861.1
1000 $5.6644 $5664.4
1500 $5.6066 $8409.9
2000 $5.5488 $11097.6
2500 $5.491 $13727.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 270A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 138 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8894 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6W (Ta), 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor POWERDI1012-8
pacote / caixa 8-PowerSFN
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Número da peça relacionada

BUK7212-55B,118
RM80N60LD
RM80N60LD
$0 $/pedaço
SQ4182EY-T1_BE3
SIS410DN-T1-GE3
IRF840APBF-BE3
IRF840APBF-BE3
$0 $/pedaço
BUK7610-100B,118
NTMFS4C08NT1G
NTMFS4C08NT1G
$0 $/pedaço
IXTP200N055T2
IXTP200N055T2
$0 $/pedaço
NVTFS9D6P04M8LTAG
NVTFS9D6P04M8LTAG
$0 $/pedaço

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