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DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

não conforme

DMTH10H1M7STLW-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.00762 $3.00762
500 $2.9775438 $1488.7719
1000 $2.9474676 $2947.4676
1500 $2.9173914 $4376.0871
2000 $2.8873152 $5774.6304
2500 $2.857239 $7143.0975
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 250A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 147 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9871 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6W (Ta), 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor POWERDI1012-8
pacote / caixa 8-PowerSFN
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Número da peça relacionada

IRLB3034PBF
SIHA17N80AE-GE3
IRLL2705TRPBF
HUFA75307T3ST
RM4N700LD
RM4N700LD
$0 $/pedaço
IRFH8324TRPBF
STB2N62K3
STB2N62K3
$0 $/pedaço
SI4835DDY-T1-E3
PHB33NQ20T,118

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