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SIHA17N80AE-GE3

SIHA17N80AE-GE3

SIHA17N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 7A TO220

não conforme

SIHA17N80AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.91000 $2.91
500 $2.8809 $1440.45
1000 $2.8518 $2851.8
1500 $2.8227 $4234.05
2000 $2.7936 $5587.2
2500 $2.7645 $6911.25
30 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1260 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 34W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

IRLL2705TRPBF
HUFA75307T3ST
RM4N700LD
RM4N700LD
$0 $/pedaço
IRFH8324TRPBF
STB2N62K3
STB2N62K3
$0 $/pedaço
SI4835DDY-T1-E3
PHB33NQ20T,118
IXTN200N10L2
IXTN200N10L2
$0 $/pedaço
FQD30N06TM
FQD30N06TM
$0 $/pedaço

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