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DMT10H072LFV-13

DMT10H072LFV-13

DMT10H072LFV-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

não conforme

DMT10H072LFV-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.24388 $0.24388
500 $0.2414412 $120.7206
1000 $0.2390024 $239.0024
1500 $0.2365636 $354.8454
2000 $0.2341248 $468.2496
2500 $0.231686 $579.215
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.7A (Ta), 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 228 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8 (Type UX)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IXFX120N25P
IXFX120N25P
$0 $/pedaço
SCT3105KLGC11
IXTH440N055T2
IXTH440N055T2
$0 $/pedaço
RM150N60T2
RM150N60T2
$0 $/pedaço
IRFBC40SPBF
IRFBC40SPBF
$0 $/pedaço
RRQ030P03HZGTR
DMN2710UTQ-7
NTD4909NT4H
NTD4909NT4H
$0 $/pedaço
SIRA02DP-T1-GE3

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