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RFD7N10LE

RFD7N10LE

RFD7N10LE

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

RFD7N10LE Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
5942 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 7A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máx.) +10V, -8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 360 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 47W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NVBLS4D0N15MC
NVBLS4D0N15MC
$0 $/pedaço
MMFTN138
MMFTN138
$0 $/pedaço
2SK1445LS
2SK1445LS
$0 $/pedaço
RMA7N20ED1
RMA7N20ED1
$0 $/pedaço
RFD3055
RFD3055
$0 $/pedaço
APT50M75LFLLG
SI7434ADP-T1-RE3

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