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RFD3055

RFD3055

RFD3055

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

RFD3055 Ficha de dados

não conforme

RFD3055 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,800 $0.33115 -
2302 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 20 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 53W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-PAK
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

APT50M75LFLLG
SI7434ADP-T1-RE3
IRFB4620PBF
SIHP10N40D-E3
SIHP10N40D-E3
$0 $/pedaço
NTC040N120SC1
NTC040N120SC1
$0 $/pedaço

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