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RFD20N03

RFD20N03

RFD20N03

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

RFD20N03 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.37000 $0.37
500 $0.3663 $183.15
1000 $0.3626 $362.6
1500 $0.3589 $538.35
2000 $0.3552 $710.4
2500 $0.3515 $878.75
10550 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 20 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1150 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 90W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-PAK
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

FDB20N50F
FDB20N50F
$0 $/pedaço
NTTFS4C13NTAG
NTTFS4C13NTAG
$0 $/pedaço
DMP2037U-7
DMP2037U-7
$0 $/pedaço
SIHH21N60E-T1-GE3
PXN8R3-30QLJ
PXN8R3-30QLJ
$0 $/pedaço
IRFZ44RPBF-BE3
IRFZ44RPBF-BE3
$0 $/pedaço
BSS169H6327XTSA1
SI1013X-T1-GE3
SI1013X-T1-GE3
$0 $/pedaço

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