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IRFW740BTM

IRFW740BTM

IRFW740BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IRFW740BTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
70400 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 400 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 540mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 134W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

EPC2024
EPC2024
$0 $/pedaço
SQ4435EY-T1_GE3
STD134N4F7AG
STD134N4F7AG
$0 $/pedaço
IXFT400N075T2
IXFT400N075T2
$0 $/pedaço
NTLUS3A39PZTBG
NTLUS3A39PZTBG
$0 $/pedaço
IPN80R900P7ATMA1
IRFZ44VZPBF
SI3473CDV-T1-GE3
IPD33CN10NGATMA1

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