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SQ4435EY-T1_GE3

SQ4435EY-T1_GE3

SQ4435EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC

não conforme

SQ4435EY-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.61992 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2170 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

STD134N4F7AG
STD134N4F7AG
$0 $/pedaço
IXFT400N075T2
IXFT400N075T2
$0 $/pedaço
NTLUS3A39PZTBG
NTLUS3A39PZTBG
$0 $/pedaço
IPN80R900P7ATMA1
IRFZ44VZPBF
SI3473CDV-T1-GE3
IPD33CN10NGATMA1
IRFP460LCPBF
IRFP460LCPBF
$0 $/pedaço
APT30M36JLL

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