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IRFF211

IRFF211

IRFF211

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFF211 Ficha de dados

não conforme

IRFF211 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.07000 $1.07
500 $1.0593 $529.65
1000 $1.0486 $1048.6
1500 $1.0379 $1556.85
2000 $1.0272 $2054.4
2500 $1.0165 $2541.25
1043 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.5Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 135 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 15W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-205AF (TO-39)
pacote / caixa TO-205AF Metal Can
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Número da peça relacionada

STB70NF03LT4
STB70NF03LT4
$0 $/pedaço
NVMFS5C406NT1G
NVMFS5C406NT1G
$0 $/pedaço
IXTA3N120-TRL
IXTA3N120-TRL
$0 $/pedaço
DMN66D0LW-7
DMN66D0LW-7
$0 $/pedaço
STW18N65M5
STW18N65M5
$0 $/pedaço
STB18N60DM2
STB18N60DM2
$0 $/pedaço
SQ2318AES-T1_GE3

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