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IRFD311

IRFD311

IRFD311

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFD311 Ficha de dados

compliant

IRFD311 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.93000 $0.93
500 $0.9207 $460.35
1000 $0.9114 $911.4
1500 $0.9021 $1353.15
2000 $0.8928 $1785.6
2500 $0.8835 $2208.75
1332 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 350 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 400mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.6Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 135 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor 4-DIP, Hexdip
pacote / caixa 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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Número da peça relacionada

IRFU221
IRFU221
$0 $/pedaço
IXTT11P50-TRL
IXTT11P50-TRL
$0 $/pedaço
NVTFWS012P03P8ZTAG
NVTFWS012P03P8ZTAG
$0 $/pedaço
DMP3010LPS-13
DMTH84M1SPS-13
RQ3E160ADTB1
RQ3E160ADTB1
$0 $/pedaço

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