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RQ3E160ADTB1

RQ3E160ADTB1

RQ3E160ADTB1

NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET

compliant

RQ3E160ADTB1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.66000 $1.66
500 $1.6434 $821.7
1000 $1.6268 $1626.8
1500 $1.6102 $2415.3
2000 $1.5936 $3187.2
2500 $1.577 $3942.5
6000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2550 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

STTFS010N10MCL
STTFS010N10MCL
$0 $/pedaço
SQM200N04-1M7L_GE3
RQ7G080BGTCR
RQ7G080BGTCR
$0 $/pedaço
DMN1017UCP3-7
DMT6010LPS-13
SISS32LDN-T1-GE3
IXTP48N20TM
IXTP48N20TM
$0 $/pedaço
IPZ65R095C7

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