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HUF76419D3

HUF76419D3

HUF76419D3

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

não conforme

HUF76419D3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 37mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 75W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-PAK
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

IRF7805PBF
MCP55H12-BP
MCP55H12-BP
$0 $/pedaço
R4008ANDTL
R4008ANDTL
$0 $/pedaço
IXFH6N100
IXFH6N100
$0 $/pedaço
STL70N10F3
STL70N10F3
$0 $/pedaço
IRLU4343PBF
NTB6410ANG
NTB6410ANG
$0 $/pedaço
IRF1503STRRPBF

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