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NTB6410ANG

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

não conforme

NTB6410ANG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 76A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 13mOhm @ 76A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF1503STRRPBF
CMS40N03V8-HF
FDI045N10A
FDD10AN06A0-F085
FDD10AN06A0-F085
$0 $/pedaço
NTB85N03
NTB85N03
$0 $/pedaço
NTD12N10-1G
NTD12N10-1G
$0 $/pedaço
CPH6341-TL-E
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$0 $/pedaço

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