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HUF76129D3ST

HUF76129D3ST

HUF76129D3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

HUF76129D3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
42200 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1425 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 105W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252-3 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FDR844P
FDR844P
$0 $/pedaço
IXFK32N80P
IXFK32N80P
$0 $/pedaço
BUK9Y7R2-60E,115
GPI65015TO
GPI65015TO
$0 $/pedaço
IPP50R199CPXK
RM3415
RM3415
$0 $/pedaço

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