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BUK9Y7R2-60E,115

BUK9Y7R2-60E,115

BUK9Y7R2-60E,115

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

compliant

BUK9Y7R2-60E,115 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.49533 -
3,000 $0.46231 -
7,500 $0.43919 -
10,500 $0.42268 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5026 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 167W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK56, Power-SO8
pacote / caixa SC-100, SOT-669
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Número da peça relacionada

GPI65015TO
GPI65015TO
$0 $/pedaço
IPP50R199CPXK
RM3415
RM3415
$0 $/pedaço
SI3473DDV-T1-GE3
SIRA06DP-T1-GE3
R6025JNXC7G
R6025JNXC7G
$0 $/pedaço

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