Welcome to ichome.com!

logo
Lar

FQPF33N10L

FQPF33N10L

FQPF33N10L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

compliant

FQPF33N10L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.89000 $1.89
10 $1.67600 $16.76
100 $1.32490 $132.49
500 $1.02744 $513.72
1,000 $0.81114 -
18330 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 52mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1630 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 41W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F-3
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

PSMN034-100PS,127
FDFMJ2P023Z
STY145N65M5
STY145N65M5
$0 $/pedaço
SQ3418EV-T1_GE3
STP150N3LLH6
STP150N3LLH6
$0 $/pedaço
SSU1N50BTU
SQJ123ELP-T1_GE3
FQB19N20TM
FQB19N20TM
$0 $/pedaço
RQ6E045BNTCR
RQ6E045BNTCR
$0 $/pedaço
2N7002ET7G
2N7002ET7G
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.