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2N7002ET7G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

não conforme

2N7002ET7G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
14,000 $0.02840 -
36005 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 260mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5Ohm @ 240mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.81 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 40 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300mW (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IXTT2N170D2
IXTT2N170D2
$0 $/pedaço
SCT3017ALGC11
C3M0120090D
C3M0120090D
$0 $/pedaço
2N6760TXV
2N6760TXV
$0 $/pedaço
STL45N60DM6
STL45N60DM6
$0 $/pedaço
IXTA2N100P
IXTA2N100P
$0 $/pedaço
IRFR4105TRLPBF

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