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FQPF19N20

FQPF19N20

FQPF19N20

MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F

não conforme

FQPF19N20 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.84408 -
12000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 150mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F-3
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

EPC2019
EPC2019
$0 $/pedaço
SIA4265EDJ-T1-GE3
STP7N95K3
STP7N95K3
$0 $/pedaço
STD7NM60N
STD7NM60N
$0 $/pedaço
NTLUS3A90PZTBG
NTLUS3A90PZTBG
$0 $/pedaço
PMPB33XN,115
PMPB33XN,115
$0 $/pedaço
HUF76105SK8T
BSC883N03MSG

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