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SIA4265EDJ-T1-GE3

SIA4265EDJ-T1-GE3

SIA4265EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIA4265EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.8A (Ta), 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 32mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1180 pF @ 0 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

STP7N95K3
STP7N95K3
$0 $/pedaço
STD7NM60N
STD7NM60N
$0 $/pedaço
NTLUS3A90PZTBG
NTLUS3A90PZTBG
$0 $/pedaço
PMPB33XN,115
PMPB33XN,115
$0 $/pedaço
HUF76105SK8T
BSC883N03MSG
PSMN2R9-30MLC,115
FQB5N60CTM-WS
FQB5N60CTM-WS
$0 $/pedaço

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