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FQB9N25TM

FQB9N25TM

FQB9N25TM

MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK

compliant

FQB9N25TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 420mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 90W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXTP44N25T
IXTP44N25T
$0 $/pedaço
2SK4085LS
2SK4085LS
$0 $/pedaço
FDP8870
FDP8870
$0 $/pedaço
SI7856ADP-T1-E3
IRLR110ATM
IRLR110ATM
$0 $/pedaço
NVATS5A112PLZT4G
NVATS5A112PLZT4G
$0 $/pedaço
IPI16CNE8N G
IRF6785MTR1PBF

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