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IRLR110ATM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK

compliant

IRLR110ATM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 440mOhm @ 2.35A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 235 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 22W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

NVATS5A112PLZT4G
NVATS5A112PLZT4G
$0 $/pedaço
IPI16CNE8N G
IRF6785MTR1PBF
SPP20N65C3HKSA1
PSMN070-200B,118-NEX
FQPF55N10
FQPF55N10
$0 $/pedaço
IRF1407S
IRF1407S
$0 $/pedaço
IRF6609TR1PBF

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