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FDMS8888

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MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

não conforme

FDMS8888 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.26859 -
4585 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13.5A (Ta), 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1585 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

SI4434DY-T1-GE3
SCT3060AW7TL
SCT3060AW7TL
$0 $/pedaço
DMN30H4D1S-13
IXFH20N50P3
IXFH20N50P3
$0 $/pedaço
STP85NF55
STP85NF55
$0 $/pedaço
STB33N60M2
STB33N60M2
$0 $/pedaço
FQPF5N30

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