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FDMS0312S

FDMS0312S

FDMS0312S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

compliant

FDMS0312S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.25781 -
6,000 $0.24098 -
15,000 $0.23256 -
30,000 $0.22797 -
3814 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Ta), 42A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2820 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IRF9520STRLPBF
IRF9520STRLPBF
$0 $/pedaço
RF4E110GNTR
RF4E110GNTR
$0 $/pedaço
FQD5N15TM
FQD5N15TM
$0 $/pedaço
DMTH6016LFDFWQ-7R
DMN10H099SK3-13
RSJ450N04TL
RSJ450N04TL
$0 $/pedaço
IRF740BPBF
IRF740BPBF
$0 $/pedaço
BUK7E4R6-60E,127
BUK6E3R2-55C,127

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