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IPB90N06S4L04ATMA2

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IPB90N06S4L04ATMA2

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

não conforme

IPB90N06S4L04ATMA2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.31635 -
79 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 90A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 90µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 13000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

BUK6E3R2-55C,127
NTMFS5C442NLTT1G
NTMFS5C442NLTT1G
$0 $/pedaço
PSMN9R0-25MLC,115
PSMN2R5-30YL,115
IXFK170N10
IXFK170N10
$0 $/pedaço
RTR030N05HZGTL
AUIRFN7110TR
SFU9220TU

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