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FDB8876

FDB8876

FDB8876

MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB

FDB8876 Ficha de dados

compliant

FDB8876 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
7486 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 71A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1700 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NTH4L020N120SC1
NTH4L020N120SC1
$0 $/pedaço
RS1G150MNTB
RS1G150MNTB
$0 $/pedaço
STD16NF06LT4
STD16NF06LT4
$0 $/pedaço
IRF40DM229
FQU2N80TU
MMSF3P02HDR2G
MMSF3P02HDR2G
$0 $/pedaço
NTD110N02RG
NTD110N02RG
$0 $/pedaço
SQJQ466E-T1_GE3

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