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FQU2N80TU

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MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK

não conforme

FQU2N80TU Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.59000 $0.59
500 $0.5841 $292.05
1000 $0.5782 $578.2
1500 $0.5723 $858.45
2000 $0.5664 $1132.8
2500 $0.5605 $1401.25
3038 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 550 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-PAK
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

MMSF3P02HDR2G
MMSF3P02HDR2G
$0 $/pedaço
NTD110N02RG
NTD110N02RG
$0 $/pedaço
SQJQ466E-T1_GE3
NTLJS3A18PZTXG
NTLJS3A18PZTXG
$0 $/pedaço
SI2325DS-T1-BE3
R5009ANX
R5009ANX
$0 $/pedaço
IXFP102N15T
IXFP102N15T
$0 $/pedaço
RM2312
RM2312
$0 $/pedaço

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