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CDM22010-650 SL

CDM22010-650 SL

CDM22010-650 SL

MOSFET N-CH 650V 10A TO220

SOT-23

não conforme

CDM22010-650 SL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.11000 $2.11
50 $1.70000 $85
100 $1.53000 $153
500 $1.19000 $595
476 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) 30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1168 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 156W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

HUFA75639S3ST
APT53N60BC6
IPA65R190C7
PSMN6R5-80BS,118
PMT200EN,135
PMT200EN,135
$0 $/pedaço
PHP23NQ11T,127
SI2312BDS-T1-BE3
ZXMN2A01E6TA
NTMFS006N12MCT1G
NTMFS006N12MCT1G
$0 $/pedaço
PSMN6R5-30MLDX

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