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AOT11C60

AOT11C60

AOT11C60

MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220

compliant

AOT11C60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2000 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NDD05N50ZT4G
NDD05N50ZT4G
$0 $/pedaço
FDP20AN06A0
STF13N95K3
STF13N95K3
$0 $/pedaço
NVMFS5C410NLT3G
NVMFS5C410NLT3G
$0 $/pedaço
IRF6655TRPBF
STW15NB50
STW15NB50
$0 $/pedaço
IXTC26N50P
IXTC26N50P
$0 $/pedaço
PSMN1R5-40ES,127
FQB12N60TM_AM002
FQB12N60TM_AM002
$0 $/pedaço
SI4354DY-T1-E3
SI4354DY-T1-E3
$0 $/pedaço

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