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FQB12N60TM_AM002

FQB12N60TM_AM002

FQB12N60TM_AM002

onsemi

MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK

compliant

FQB12N60TM_AM002 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 700mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI4354DY-T1-E3
SI4354DY-T1-E3
$0 $/pedaço
BUK7907-40ATC,127
IRFH5025TR2PBF
SI4354DY-T1-GE3
NVMFS5C404NWFT1G-K
NVMFS5C404NWFT1G-K
$0 $/pedaço
BUZ73LHXKSA1
BUZ73AE3046XK

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