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AOI444

AOI444

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MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO251A

AOI444 Ficha de dados

compliant

AOI444 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,500 $0.25740 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta), 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 60mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 540 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251A
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

PSMN004-60B,118
MMSF3P02HDR2SG
MMSF3P02HDR2SG
$0 $/pedaço
DMP56D0UFB-7B
FDB0250N807L
FDB0250N807L
$0 $/pedaço
IPB50R199CPATMA1
R5016FNX
R5016FNX
$0 $/pedaço
PSMN7R0-30YL,115
RT1A040ZPTR
RT1A040ZPTR
$0 $/pedaço
ATP202-TL-H
ATP202-TL-H
$0 $/pedaço

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