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FDB0250N807L

FDB0250N807L

FDB0250N807L

onsemi

MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7

compliant

FDB0250N807L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $3.05805 $2446.44
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 240A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15400 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263-7
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

IPB50R199CPATMA1
R5016FNX
R5016FNX
$0 $/pedaço
PSMN7R0-30YL,115
RT1A040ZPTR
RT1A040ZPTR
$0 $/pedaço
ATP202-TL-H
ATP202-TL-H
$0 $/pedaço
APT8030JVFR
MMBT7002K
MMBT7002K
$0 $/pedaço
RF1S9640
RF1S9640
$0 $/pedaço
PSMN2R2-30YLC,115
FDH50N50-F133
FDH50N50-F133
$0 $/pedaço

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