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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de feto | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 444A (Tc) |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 4.3mOhm @ 400A, 20V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 4V @ 105mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 1127nC @ 20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 19.5nF @ 1000V |
| potência - máx. | 3000W |
| temperatura de operação | 175°C (TJ) |
| tipo de montagem | - |
| pacote / caixa | Module |
| pacote de dispositivo do fornecedor | Module |
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