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WNSC12650T6J

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

não conforme

WNSC12650T6J Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.94700 $1.947
500 $1.92753 $963.765
1000 $1.90806 $1908.06
1500 $1.88859 $2832.885
2000 $1.86912 $3738.24
2500 $1.84965 $4624.125
3000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 650 V
corrente - média retificada (io) 12A
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.8 V @ 12 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 60 µA @ 650 V
capacitância @ vr, f 328pF @ 1V, 1MHz
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 4-VSFN Exposed Pad
pacote de dispositivo do fornecedor 5-DFN (8x8)
temperatura de operação - junção 175°C
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Número da peça relacionada

1N6761/TR
1N6761/TR
$0 $/pedaço
DR206T/R
DR206T/R
$0 $/pedaço
F15
F15
$0 $/pedaço
1N6643U/TR
1N6643U/TR
$0 $/pedaço
CD1A60
CD1A60
$0 $/pedaço
MUR480GP-TP
MUR480GP-TP
$0 $/pedaço
UES704R
UES704R
$0 $/pedaço
MUR2505R
MUR2505R
$0 $/pedaço
R3560PF
R3560PF
$0 $/pedaço

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