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WNSC101200Q

WNSC101200Q

WNSC101200Q

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

WNSC101200Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.11500 $5.115
500 $5.06385 $2531.925
1000 $5.0127 $5012.7
1500 $4.96155 $7442.325
2000 $4.9104 $9820.8
2500 $4.85925 $12148.125
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 1200 V
corrente - média retificada (io) 10A
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.6 V @ 10 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 110 µA @ 1200 V
capacitância @ vr, f 510pF @ 1V, 1MHz
tipo de montagem Through Hole
pacote / caixa TO-220-2
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AC
temperatura de operação - junção 175°C (Max)
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Número da peça relacionada

RAS00412XX
RAS00412XX
$0 $/pedaço
STPSC12065G2-TR
1N4587R
1N4587R
$0 $/pedaço
S3680
S3680
$0 $/pedaço
M0914LC200
M0914LC200
$0 $/pedaço
MBRA210L
MBRA210L
$0 $/pedaço
JAN1N5615
JAN1N5615
$0 $/pedaço
JANTX1N1616R

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