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WNSC06650T6J

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SILICON CARBIDE POWER DIODE

não conforme

WNSC06650T6J Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.95000 $2.95
500 $2.9205 $1460.25
1000 $2.891 $2891
1500 $2.8615 $4292.25
2000 $2.832 $5664
2500 $2.8025 $7006.25
3595 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 650 V
corrente - média retificada (io) 6A
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.7 V @ 6 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 40 µA @ 650 V
capacitância @ vr, f 190pF @ 1V, 1MHz
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 4-VSFN Exposed Pad
pacote de dispositivo do fornecedor 5-DFN (8x8)
temperatura de operação - junção 175°C (Max)
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Número da peça relacionada

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