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NXPSC12650B6J

NXPSC12650B6J

NXPSC12650B6J

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

NXPSC12650B6J Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.86000 $6.86
500 $6.7914 $3395.7
1000 $6.7228 $6722.8
1500 $6.6542 $9981.3
2000 $6.5856 $13171.2
2500 $6.517 $16292.5
6298 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 650 V
corrente - média retificada (io) 12A
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.7 V @ 12 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 80 µA @ 650 V
capacitância @ vr, f 380pF @ 1V, 1MHz
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
temperatura de operação - junção 175°C (Max)
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Número da peça relacionada

5821SMGE3/TR13
AES2GF-HF
AES2GF-HF
$0 $/pedaço
ES8CC-HF
ES8CC-HF
$0 $/pedaço
DCG10P1200HR
DCG10P1200HR
$0 $/pedaço
UF3002-HF
UF3002-HF
$0 $/pedaço
AU01AWS
AU01AWS
$0 $/pedaço
SJPJ-L3
SJPJ-L3
$0 $/pedaço
M0659LC450
M0659LC450
$0 $/pedaço

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