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SUP60030E-GE3

SUP60030E-GE3

SUP60030E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

compliant

SUP60030E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.50000 $3.5
10 $3.13500 $31.35
100 $2.59050 $259.05
500 $2.11860 $1059.3
1,000 $1.80400 -
2,500 $1.71930 -
5,000 $1.65880 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 141 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7910 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IPW65R125C7XKSA1
IPW65R099C6FKSA1
FKP300A
FKP300A
$0 $/pedaço
STP3NK90ZFP
STP3NK90ZFP
$0 $/pedaço
IXTF1N450
IXTF1N450
$0 $/pedaço
DMP2123LQ-7
DMP2123LQ-7
$0 $/pedaço
DMN2450UFB4-7B
STF6N65M2
STF6N65M2
$0 $/pedaço

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