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SUP60020E-GE3

SUP60020E-GE3

SUP60020E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

não conforme

SUP60020E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.25000 $3.25
500 $3.2175 $1608.75
1000 $3.185 $3185
1500 $3.1525 $4728.75
2000 $3.12 $6240
2500 $3.0875 $7718.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 150A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 227 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10680 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IPP60R190E6XKSA1
APT43F60L
APT43F60L
$0 $/pedaço
FQP5N60C
FQP5N60C
$0 $/pedaço
IXFK48N50
IXFK48N50
$0 $/pedaço
DMP6110SVTQ-7
BUK9M35-80EX
BUK9M35-80EX
$0 $/pedaço
FDMT800120DC
FDMT800120DC
$0 $/pedaço

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