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SUP40010EL-GE3

SUP40010EL-GE3

SUP40010EL-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

não conforme

SUP40010EL-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.28000 $3.28
50 $2.63960 $131.98
100 $2.40500 $240.5
500 $1.94742 $973.71
1,000 $1.64241 -
2,500 $1.56029 -
5,000 $1.50163 -
201 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11155 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SIHA18N60E-E3
SIHA18N60E-E3
$0 $/pedaço
SI7848BDP-T1-E3
IPB60R280P7ATMA1
IXFX120N20
IXFX120N20
$0 $/pedaço
NVHL025N65S3
NVHL025N65S3
$0 $/pedaço
PMV22EN,215
PMV22EN,215
$0 $/pedaço
IPB60R160P6ATMA1
SIHD6N80AE-GE3
SIHD6N80AE-GE3
$0 $/pedaço
PH6930DL115
PH6930DL115
$0 $/pedaço

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