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SUM60030E-GE3

SUM60030E-GE3

SUM60030E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 120A TO263

não conforme

SUM60030E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.71930 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 141 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7910 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STP60NF06
STP60NF06
$0 $/pedaço
APT42F50B
APT42F50B
$0 $/pedaço
SIHFR420TRL-GE3
STU7N60M2
STU7N60M2
$0 $/pedaço
IRFR014TRLPBF-BE3
SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3
$0 $/pedaço
BUK751R6-30E,127
BUK751R6-30E,127
$0 $/pedaço
P3M06060K4

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