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SQS462EN-T1_GE3

SQS462EN-T1_GE3

SQS462EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8

não conforme

SQS462EN-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.44280 -
6,000 $0.42201 -
15,000 $0.40716 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 63mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 470 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

STF57N65M5
STF57N65M5
$0 $/pedaço
DMN3024LK3-13
STW9NK90Z
STW9NK90Z
$0 $/pedaço
3LP01S-K-TL-E
3LP01S-K-TL-E
$0 $/pedaço
IRLML6344TRPBF
PMN40LN,135
PMN40LN,135
$0 $/pedaço
NTTFS4C05NTWG
NTTFS4C05NTWG
$0 $/pedaço
MCPF07N65-BP

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