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SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

SOT-23

não conforme

SQS405ENW-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.43296 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2650 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SPD04N60C2
IRF640PBF-BE3
IRF640PBF-BE3
$0 $/pedaço
FDP2670
FDP2670
$0 $/pedaço
SI7858ADP-T1-E3
BSS64E6327
STP40NF20
STP40NF20
$0 $/pedaço
FCH20N60
BFL4037-1E
BFL4037-1E
$0 $/pedaço

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