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SQP120N06-06_GE3

SQP120N06-06_GE3

SQP120N06-06_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB

não conforme

SQP120N06-06_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.92826 $1.92826
500 $1.9089774 $954.4887
1000 $1.8896948 $1889.6948
1500 $1.8704122 $2805.6183
2000 $1.8511296 $3702.2592
2500 $1.831847 $4579.6175
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 119A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6495 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 175W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IPA50R520CPXKSA1
SI7374DP-T1-E3
SI7374DP-T1-E3
$0 $/pedaço
FDMS7672AS
FDMS7672AS
$0 $/pedaço
DMP2070U-13
DMP2070U-13
$0 $/pedaço
VN3205N8-G
VN3205N8-G
$0 $/pedaço
SIHP6N65E-GE3
SIHP6N65E-GE3
$0 $/pedaço
NTMFS3D6N10MCLT1G
NTMFS3D6N10MCLT1G
$0 $/pedaço
APT24F50B
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$0 $/pedaço

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