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SQM90142E_GE3

SQM90142E_GE3

SQM90142E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

compliant

SQM90142E_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.65805 $1326.44
1,600 $1.52163 -
2,400 $1.41669 -
5,600 $1.36422 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 95A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STD18NF25
STD18NF25
$0 $/pedaço
SIHP38N60E-GE3
SIHP38N60E-GE3
$0 $/pedaço
SFR9120TF
APT50M75B2FLLG
RS1E200GNTB
RS1E200GNTB
$0 $/pedaço
FCD7N60TM
FCD7N60TM
$0 $/pedaço
AUIRF3805L
NTMFS4841NT1G
NTMFS4841NT1G
$0 $/pedaço
SIR606BDP-T1-RE3

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