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SQM40010EL_GE3

SQM40010EL_GE3

SQM40010EL_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

não conforme

SQM40010EL_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.65805 $1326.44
1,600 $1.52163 -
2,400 $1.41669 -
5,600 $1.36422 -
1 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 17100 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

PSMN019-100YLX
SISS60DN-T1-GE3
SIA432DJ-T1-GE3
NTD4858NT4G
NTD4858NT4G
$0 $/pedaço
SQJ403BEEP-T1_BE3
IPT60R080G7XTMA1
FQI9N50TU
STP10N60M2
STP10N60M2
$0 $/pedaço

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