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SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

SOT-23

não conforme

SQM120N10-3M8_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.88100 $1504.8
1,600 $1.75560 -
2,400 $1.66782 -
5,600 $1.60512 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7230 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQPF6N40CT
DMN6070SFCL-7
DMTH6005LCT
DMTH6005LCT
$0 $/pedaço
HUF76143S3ST
SI2337DS-T1-BE3
NVMFS5C420NLWFT1G
NVMFS5C420NLWFT1G
$0 $/pedaço
IRFH7934TRPBF
PMDXB550UNE/S500147

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